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产品介绍

Small magnetron sputtering equipment

PLI-MS-RD系列磁控溅射研发设备

极限真空: ≤ 5.0×10-5Pa

可选超高真空配置：极限真空≤1.0×10-6Pa

磁控阴极: 1-8套阴极靶位，包括磁性材料的溅射阴极

溅射电源: 直流、脉冲、射频

基片温度 :  可加热最高800OC

控制系统：PLC控制，触摸屏或连接电脑界面操作

基片尺寸：2-8英寸

靶材尺寸：2-8英寸

应用领域：电子/光学功能薄膜制备，表面金属化，介质薄膜，半导体薄膜制备用于薄膜新工艺研发和小量生产



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